成功案例Success Cases
在發(fā)展中求生存,不斷完善,以良好信譽(yù)和科學(xué)的管理促進(jìn)企業(yè)迅速發(fā)展2025年09月05日, 再次衷心感謝江西某半導(dǎo)體新材料公司的信任與支持!貴司再次選購(gòu)的安捷倫電感耦合等離子體質(zhì)譜儀5800VDV ICP-OES已順利完成安裝調(diào)試與培訓(xùn)。
ICP-OES 5800VDV電感耦合等離子體質(zhì)譜儀具備同步垂直雙向觀測(cè)(SVDV)等功能,專(zhuān)為嚴(yán)苛半導(dǎo)體材料分析而生,助力客戶品質(zhì)控制與研發(fā)創(chuàng)新。感恩再次選擇,譜標(biāo)將繼續(xù)以專(zhuān)業(yè)技術(shù)與服務(wù)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)賦能!
Agilent 5800VDV:半導(dǎo)體級(jí) ICP-OES 的“速度+精度”雙引擎
一、SVDV 同步垂直雙向觀測(cè) —— 一次讀數(shù) = 軸向 + 徑向雙重信號(hào)
軸向光程長(zhǎng),檢出限低(ppb 級(jí))
徑向基體耐鹽高,可減少 90% 易電離元素干擾
同步采集,無(wú)需重復(fù)進(jìn)樣,產(chǎn)能直接翻倍
二、半導(dǎo)體硬核配置
高純石英炬管 + Pt 錐接口,空白 Al<1 ppb、Fe<0.5 ppb
冷等離子體模式,K、Na 背景<0.2 ppb,滿足 SEMI G5 級(jí)高純?cè)噭?/span>
耐 HF 基體進(jìn)樣系統(tǒng)(PFA 霧化器、惰性炬管),直接測(cè) BOE、磷酸蝕刻液
密閉風(fēng)箱光室,N2 purge ≤ 5 min,遠(yuǎn)紫外(167 nm)測(cè) Al、P、S 更靈敏
三、ICV/CV 自動(dòng) QC 策略
"IntelliQuant" 360° 全譜掃描,一次曝光即可識(shí)別 70+ 雜質(zhì),誤差<5%
內(nèi)置 SEMI/GB/T 模板,自動(dòng)輸出 "Pass/Fail" 報(bào)告,QC 失敗即刻停泵并郵件報(bào)警
方法開(kāi)發(fā)向?qū)В狠斎牖w與目標(biāo)限,儀器自動(dòng)推薦波長(zhǎng)、內(nèi)標(biāo)與背景校正點(diǎn),10 min 生成 SOP
四、產(chǎn)能與成本實(shí)測(cè)
高純硫酸(H2SO4 98%)中 20 元素,檢出限 0.3-3 ppb,樣品通量 120 個(gè)/班
與 5100 單軸向相比,氬氣節(jié)省 30%,炬管壽命延長(zhǎng) 40%,年度耗材成本 ↓ 約 1.8 萬(wàn)元
五、典型半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景
高純濕電子化學(xué)品 —— HF、H2O2、H2SO4、IPA 中 35 元素 ≤ G5 級(jí)
硅片/晶圓表面 —— 全反射 XRF 前處理浸提液,F(xiàn)e/Ni/Cu/Na 污染監(jiān)控
CMP 拋光液 —— Al2O3、SiO2 漿料中 Na、K、Ca、Mg 雜質(zhì) ≤ 50 ppb
光刻膠與溶劑 —— PGMEA、NMP 中 Li、B、P、S 超低背景檢測(cè)
靶材與電子陶瓷 —— ITO、Ti、Ta、Co 靶中痕量 U/Th(<0.1 ppb)放射性控制
六、一鍵開(kāi)機(jī) + 遠(yuǎn)程診斷
"Plug & Ignite" 30 min 完成波長(zhǎng)校準(zhǔn)與性能測(cè)試,網(wǎng)絡(luò)連接工程師在線診斷 > 80% 故障,停機(jī)時(shí)間<4 h
選擇 5800VDV,讓 ppb 級(jí)雜質(zhì)無(wú)處遁形,為晶圓良率、靶材純度與工藝研發(fā)提供"即刻可判"的數(shù)據(jù)底氣!
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